恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
5.3.1
上电/下特性
为了防止条件可能导致虚假的编程或擦除操作时，
在这里显示的上电/断电顺序建议。请注意，每个功率
在提出申请前的供应必须达到的最低电压范围/删除下一个
电源电压。
表6：
上电/断电顺序
电源UpSequence
1st
2nd
3rd
1st
2nd
†
电源
电压
V
CC（分钟）
V
CCQ （分钟）
V
PEN （分钟）
断电顺序
3rd
2nd
1st
†
1st
†
2nd
测序未
需要
†
2nd
1st
2nd
†
1st
测序未
需要
†
注意：
†连接或序列一起电源。
设备的投入不能驱动，直到所有的电源电压达到其最小范围。
RP ＃应在电源转换为低。
5.3.2
电源去耦
当设备被启用，许多内部条件发生变化。电路通电，
电荷泵被接通，和内部电压节点被倾斜。所有的这
内部活动产生的瞬态信号。瞬态信号的幅度
取决于设备和系统负载。为了尽量减少这些瞬态的影响
信号，一个0.1 μF陶瓷电容需要在每个VCC / VSS和VCCQ信号。
电容应尽可能靠近器件连接。
此外，每八个闪存设备，一个4.7 μF的电解电容应该是
在VCC和VSS之间的电源连接。该4.7 μF电容
应有助于克服由PCB（印刷电路板）的跟踪电压衰退
电感。
5.4
RESET
通过在上电和掉电转换拿着闪存设备中的复位，
无效总线条件下可能会被屏蔽。闪存器件进入复位模式，当RP ＃为
驱动为低电平。在复位时，内置闪光灯电路处于关闭状态，并输出被放置在高
阻抗状态。从复位返回后，前，需要一定的时间
闪光装置是能够执行正常操作。从重置回，闪后
设备默认为异步页模式。如果RP ＃是在一个程序驱动为低电平或
擦除操作，编程或擦除操作将被中止，内存
在中止块或地址的内容不再有效。看
有关详细信息，关于复位
计时。
数据表
20
2007年11月
308551-05
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
