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    PC48F3300J0Z00S 参数 Datasheet PDF下载

    PC48F3300J0Z00S图片预览
    型号： PC48F3300J0Z00S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 恒忆嵌入式闪存 [Numonyx Embedded Flash Memory]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 68 页 / 913 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号PC48F3300J0Z00S的Datasheet PDF文件第18页浏览型号PC48F3300J0Z00S的Datasheet PDF文件第19页浏览型号PC48F3300J0Z00S的Datasheet PDF文件第20页浏览型号PC48F3300J0Z00S的Datasheet PDF文件第21页浏览型号PC48F3300J0Z00S的Datasheet PDF文件第23页浏览型号PC48F3300J0Z00S的Datasheet PDF文件第24页浏览型号PC48F3300J0Z00S的Datasheet PDF文件第25页浏览型号PC48F3300J0Z00S的Datasheet PDF文件第26页  
    恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
    6.2
    表8：
    直流电压特定网络阳离子
    直流电压特性
    V
    CCQ
    V
    CC
    2.7 - 3.6 V
    2.7 - 3.6 V
    民
    –0.5
    2.0
    最大
    0.8
    V
    CCQ
    + 0.5V
    0.4
    单位
    V
    V
    V
    V
    CC
    = V
    CC
    民
    V
    CCQ
    = V
    CCQ
    民
    I
    OL
    = 2毫安
    V
    CC
    = V
    CC
    民
    V
    CCQ
    = V
    CCQ
    民
    I
    OL
    = 100 µA
    V
    CC
    = V
    CCmin
    V
    CCQ
    = V
    CCQ
    民
    I
    OH
    = -2.5毫安
    V
    CC
    = V
    CCmin
    V
    CCQ
    = V
    CCQ
    民
    I
    OH
    = –100 µA
    2, 5, 6
    2, 5, 6
    测试条件
    笔记
    符号
    V
    IL
    V
    IH
    参数
    输入低电压
    输入高电压
    V
    OL
    输出低电压
    0.2
    V
    1, 2
    0.85
    ×
    V
    CCQ
    V
    OH
    输出高电压
    V
    CCQ
    –
    0.2
    V
    笔
    锁定程序时，
    擦除和锁定位操作
    V
    笔
    在块擦除，编程，
    或锁定位操作
    V
    CC
    锁定电压
    2.7
    2.0
    V
    1, 2
    V
    V
    PENLK
    V
    金边
    V
    LKO
    2.2
    3.6
    V
    V
    V
    2, 3
    3
    4
    注意事项：
    1.
    包括STS 。
    2.
    采样，未经100％测试。
    3.
    块擦除，编程和锁定位配置有抑制作用，当V
    笔
    ≤
    V
    PENLK
    ，并不能保证
    在V的范围
    PENLK
    （最大值）和V
    金边
    （ min），而高于V
    金边
    （最大值）。
    4.
    块擦除，编程和锁定位配置有抑制作用，当V
    CC
    ＆ LT ; V
    LKO
    ，并没有在保证
    V的范围
    LKO
    （MIN）和V
    CC
    （ min），而高于V
    CC
    （最大值）。
    5.
    包括设备的所有工作模式包括待机和上电顺序
    6.
    输入/输出信号可以下冲至-1.0V参考V
    SS
    并能过冲至V
    CCQ
    = 1.0V的
    为2ns或更少的持续时间，在V
    CCQ
    有效范围是参考V
    SS
    .
    6.3
    表9 ：
    符号
    C
    IN
    电容
    恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）电容
    参数
    1
    输入电容
    32 ， 64 ， 128兆
    256 MB
    32 ， 64 ， 128兆
    256 MB
    TYPE
    最大
    单位
    条件
    2
    V
    IN
    = 0.0 V
    6
    12
    8
    16
    8
    16
    12
    24
    pF
    C
    OUT
    输出电容
    pF
    V
    OUT
    = 0.0 V
    注意事项：
    1.
    采样。未经100％测试。
    2.
    T
    A
    = +25 ° C，F = 1兆赫
    数据表
    22
    2007年11月
    308551-05

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