MSM5117405B
交流特性( 1/2)
半导体¡
(V
CC
= 5伏±10 %以下,Ta = 0℃至70℃ )注1 ,2,3 ,12,13
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
快速页模式周期时间
快速页面模式读取 - 修改 - 写
周期
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
从列地址访问时间
访问时间从
CAS
预充电
访问时间从
OE
输出低阻抗时间
CAS
数据输出保持后
CAS
低
CAS
到数据输出缓冲器关断延迟时间
RAS
到数据输出缓冲器关断延迟时间
OE
到数据输出缓冲器关断延迟时间
WE
到数据输出缓冲器关断延迟时间
转换时间
刷新周期
RAS
预充电时间
RAS
脉冲宽度
RAS
保持时间
RAS
持有参考时间
OE
CAS
预充电时间(快速页面模式与EDO )
CAS
脉冲宽度
CAS
保持时间
CAS
to
RAS
预充电时间
RAS
从保持时间
CAS
预充电
OE
从保持时间
CAS
( DQ禁用)
RAS
to
CAS
延迟时间
RAS
到列地址的延迟时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址为
RAS
交货时间
MSM5117405 MSM5117405 MSM5117405
B-60
B-50
B-70
单位注
符号
分钟。
t
RC
t
RWC
t
HPC
t
HPRWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
DOH
t
CEZ
t
苏亚雷斯
t
OEZ
t
WEZ
t
T
t
REF
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
ROH
t
CP
t
CAS
t
CSH
t
CRP
t
RHCP
t
CHO
t
RCD
t
拉德
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
84
110
20
58
—
—
—
—
—
0
5
0
0
0
0
1
—
30
50
50
7
7
7
7
35
5
30
5
11
9
0
7
0
7
25
马克斯。
—
—
—
—
50
13
25
30
13
—
—
13
13
13
13
50
32
—
10,000
100,000
分钟。
104
135
25
68
—
—
—
—
—
0
5
0
0
0
0
1
—
40
60
60
10
10
10
10
40
5
35
5
14
12
0
10
0
10
30
马克斯。
—
—
—
—
60
15
30
35
15
—
—
15
15
15
15
50
32
—
10,000
100,000
分钟。
124
160
30
78
—
—
—
—
—
0
5
0
0
0
0
1
—
50
70
70
13
13
10
13
45
5
40
5
14
12
0
13
0
13
35
马克斯。
—
—
—
—
70
20
35
40
20
—
—
20
20
20
20
50
32
—
10,000
100,000
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
6
7, 8
7, 8
7
7
3
4, 5, 6
4, 5
4, 6
4
4
4
RAS
脉冲宽度( EDO与快页模式)t
RASP
—
—
—
10,000
—
—
—
—
37
25
—
—
—
—
—
—
—
—
10,000
—
—
—
—
45
30
—
—
—
—
—
—
—
—
10,000
—
—
—
—
50
35
—
—
—
—
—
236