MSM5117405B
注意事项：
半导体¡
200 1.启动延时
µs
在上电后是必需的，随后是最小的8
初始化周期（ RAS只刷新或
CAS
前
RAS
刷新）前正确的设备
实现操作。
2. AC特性假定吨
T
= 2纳秒。
3. V
IH
（分钟）和V
IL
（最大）为参考电平测量输入信号的时序。
转换时间（T
T
）是V之间测量
IH
和V
IL
.
4.该参数测量与负载电路等效于2 TTL负载和100pF的。
内的T 5.操作
RCD
（最大值）限制确保吨
RAC
（最大）可以得到满足。
t
RCD
（最大）被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
大于指定的
t
RCD
（最大）的限度，则存取时间为t控制
CAC
.
内的T 6.操作
拉德
（最大值）限制确保吨
RAC
（最大）可以得到满足。
t
拉德
（最大）被指定为唯一的一个参考点。如果T
拉德
大于指定的
t
拉德
（最大）的限度，则存取时间为t控制
AA
.
7. t
CEZ
（最大），叔
苏亚雷斯
（最大），叔
WEZ
（最大值）和T
OEZ
（最大）限定的时间，让
输出达到开路状态，并没有被引用到输出电压
的水平。
8. t
CEZ
和T
苏亚雷斯
必须满足开路状态。
9. t
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
10. t
WCS
, t
CWD
, t
RWD
, t
AWD
和T
CPWD
不是限制性的操作参数。他们是
包含在数据表中作为唯一的电气特性。如果T
WCS
≥
t
WCS
（分钟） ，然后
该循环是一个早期的写周期的数据输出将保持开路（高
阻抗）在整个循环。如果T
CWD
≥
t
CWD
（分钟），叔
RWD
≥
t
RWD
（分） ，
t
AWD
≥
t
AWD
（分钟）和叔
CPWD
≥
t
CPWD
（分钟） ，然后循环读 - 修改 - 写
周期和数据输出将包含从所选择的单元中读取数据;如果既没有上述的
组条件被满足时，则数据从条件（在存取时间）是
不确定的。
11.这些参数是参照
CAS
前缘在早期的写周期，并
对
WE
前缘在一
OE
控制写入周期，或读 - 修改 - 写周期。
12.测试模式通过执行启动
WE
和
CAS
前
RAS
刷新周期。
这种模式被锁存并保持有效，直到产生出周期。在测试模式
CA0和CA1未使用，每个DQ引脚现在访问的4位的位置。由于所有4 DQ
销时，总共16个数据位可并行写入到存储器阵列。
在一个读周期中，如果4个数据位是相等的， DQ引脚将指示一个高的水平。如果4个数据
位不相等， DQ引脚将指示一个较低的水平。测试模式被清除且
存储装置通过执行返回到它的正常操作状态
RAS-只
刷新周期或
CAS
前
RAS
刷新周期。
13.在一个测试模式读出周期中，访问时间参数的值被延时为5ns的
指定的值。这些参数应在测试模式下循环通过将指定
上述值在此数据表中的规定值。
参见附录M代表AC时序波形
238
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
