FEDD51V16400F-01
1
半导体
MSM51V16400F
交流特性（ 1/2）
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V ，TA = 0 〜70 ° C） Note1,2,3
参数
MSM51V16400
F-50
符号
分钟。
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
快速页模式周期时间
t
RC
t
RWC
t
PC
90
131
35
76
0
0
0
1
30
50
50
13
13
7
13
50
5
30
17
12
0
马克斯。
50
13
25
30
13
13
13
50
64
10,000
100,000
10,000
37
25
MSM51V16400
F-60
分钟。
110
155
40
85
0
0
0
1
40
60
60
15
15
10
15
60
5
35
20
15
0
马克斯。
60
15
30
35
15
15
15
50
64
10,000
100,000
10,000
45
30
MSM51V16400
F-70
分钟。
130
185
45
100
0
0
0
1
50
70
70
20
20
10
20
70
5
40
20
15
0
马克斯。
70
20
35
40
20
20
20
50
64
10,000
100,000
10,000
50
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
5
6
14
4, 5, 6
4, 5
4, 6
4, 12
4
4
7
7
3
单位
记
快速页面模式读取 - 修改 - 写
t
PRWC
周期
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
从列地址访问时间
访问时间从
CAS
预充电
访问时间从
OE
输出低阻抗时间
CAS
CAS
到数据输出缓冲器开启
关闭延迟时间
OE
到数据输出缓冲器关断
延迟时间
转换时间
刷新周期
RAS
预充电时间
RAS
脉冲宽度
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
t
T
t
REF
t
RP
t
RAS
RAS
脉冲宽度（快速页面模式）t
RASP
RAS
保持时间
RAS
持有参考时间
OE
CAS
预充电时间
（快页模式）
CAS
脉冲宽度
CAS
保持时间
CAS
to
RAS
预充电时间
t
RSH
t
ROH
t
CP
t
CAS
t
CSH
t
CRP
RAS
从保持时间
CAS
预充电吨
RHCP
RAS
to
CAS
延迟时间
RAS
到列地址的延迟时间
行地址建立时间
t
RCD
t
拉德
t
ASR
6/16
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
