FEDD51V16400F-01
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半导体
MSM51V16400F
注：为200ps的1.启动延时上电后是必需的，其次是最低八初始化
循环性（RAS -只刷新或
CAS
前
RAS
刷新）器件正常工作之前实现。
2. AC特性假定吨
T
=为5ns 。
3. V
IH
（分钟）和V
IL
（最大）为参考电平测量输入信号的时序。转换时间（T
T
)
V的测量
IH
和V
IL
.
4. -50度用负载电路相当于1个TTL负载和50pF的，和-60 / -70度用
负载电路相当于1个TTL负载和100pF电容。
输出定时的基准等级为V
OH
= 2.0和V
OL
=0.8V.
内的T 5.操作
RCD
（最大值）限制确保吨
RAC
（最大）可以得到满足。
t
RCD
（最大）被指定为唯一的一个参考点。如果T
RCD
大于指定吨
RCD
（最大值）的限制，
然后存取时间为t控制
CAC
.
内的T 6.操作
拉德
（最大值）限制确保吨
RAC
（最大）可以得到满足。
t
拉德
（最大）被指定为唯一的一个参考点。如果T
拉德
大于指定吨
拉德
（最大值）的限制，
然后存取时间为t控制
AA
.
7. t
关闭
（最大值）和T
OEZ
（最大）限定在其中的输出取得的开路状态的时间和
没有被引用到输出电压电平。
8. t
RCH
或T
RRH
必须满足一个读周期。
9. t
WCS
, t
CWD
, t
RWD
, t
AWD
和T
CPWD
不是限制性的操作参数。它们被包括在数据
片作为唯一的电气特性。如果T
WCS
≥
t
WCS
（分钟） ，然后将周期是一个早期的写周期和
出来的数据将保持开路（高阻抗）的整个周期。如果T
CWD
≥
t
CWD
（分钟），叔
RWD
≥
t
RWD
（分钟），叔
AWD
≥
t
AWD
（分钟）和叔
CPWD
≥
t
CPWD
（分钟） ，则该循环的读取修改
写周期和数据输出将包含从所选择的单元中读取数据;如果既不是上述套
条件被满足，则该数据列的条件（在存取时间）是不确定的。
10.这些参数是参照
CAS ，
前缘在早期的写周期，并以所述
WE
前缘在一
OE
控制写入周期，或读 - 修改 - 写周期。
11.测试模式通过执行启动
WE
和
CAS
前
RAS
刷新周期。此模式是
锁存并保持有效，直到产生出周期。在测试CA8和CA9不使用和
每个DQ引脚现在访问的4位的位置。由于所有4 DQ引脚时，共有16个数据位可以被写入
并联到存储器阵列。在一个读周期中，如果4个数据位是相等的， DQ引脚将指示
高的水平。如果在4个数据位不相等， DQ引脚将指示一个较低的水平。测试模式被清除
和存储装置通过执行返回到它的正常操作状态
RAS-只
刷新周期
OR A
CAS
前
RAS
刷新周期。
12.在一个测试模式的读周期中，访问时间参数的值被延时为5ns为指定的值。
这些参数应在测试模式下循环通过将上述值的指定的指定
本数据表中的值。
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OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
