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BC847A 参数 Datasheet PDF下载

BC847A图片预览
型号: BC847A
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内容描述: 通用晶体管( NPN硅) [General Purpose Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管IOT
文件页数/大小: 6 页 / 96 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BC846ALT1系列
BC847 , BC848 , BC849 , BC850
2.0
的hFE ,规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V,电压(V )
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
I
C
,集电极电流( MADC )
100
200
0
0.1
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
,集电极电流( MADC )
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ,集电极 - 发射极电压( V)
θ
VB ,温度系数(毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.02
0.1
1.0
I
B
,基极电流(毫安)
10
20
0.2
10
1.0
I
C
,集电极电流(毫安)
100
图3.集电极饱和区
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
10
7.0
C,电容(pF )
5.0
3.0
C
ob
2.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图4.基射极温度系数
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
20
4.0 6.0 8.0 10
V
R
,反向电压(伏)
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
,集电极电流( MADC )
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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