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    BSS138LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    BSS138LT1G图片预览
    型号： BSS138LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET 200毫安， 50 V [Power MOSFET 200 mA, 50 V]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 5 页 / 128 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BSS138LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS138LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS138LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS138LT1G的Datasheet PDF文件第5页  
    BSS138LT1
    典型电气特性
    0.8
    T
    J
    = 25°C
    0.7
    I D ，漏极电流（ AMPS ）
    0.6
    0.5
    0.4
    0.3
    0.2
    0.1
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    V
    GS
    = 3.25 V
    V
    GS
    = 3.0 V
    V
    GS
    = 2.75 V
    V
    GS
    = 2.5 V
    I D ，漏极电流（ AMPS ）
    V
    GS
    = 3.5 V
    0.9
    0.8
    0.7
    150°C
    0.6
    0.5
    0.4
    0.3
    0.2
    0.1
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    4.5
    V
    DS
    = 10 V
    - 55°C
    25°C
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    V
    GS
    ，栅极至源极电压（伏）
    图1.区域特征
    2.2
    2
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    - 55
    -5
    45
    95
    145
    0.75
    - 55
    -30
    V
    GS
    = 4.5 V
    I
    D
    = 0.5 A
    VGS （ TH） ，方差（伏）
    V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    = 0.8 A
    1.125
    1.25
    图2.传输特性
    RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
    （归一化）
    I
    D
    = 1.0毫安
    1
    0.875
    -5
    20
    45
    70
    95
    120
    145
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    图3.导通电阻变化与
    温度
    VGS ，栅极至源极电压（伏）
    10
    I
    DSS
    ，漏 - 源极漏（A ）
    V
    DS
    = 40 V
    T
    J
    = 25°C
    8
    1.0E-5
    图4.阈值电压变化
    随温度
    1.0E-6
    150°C
    6
    1.0E-7
    125°C
    4
    I
    D
    = 200毫安
    2
    1.0E-8
    0
    0
    500
    1000
    1500
    2000
    2500
    3000
    Q
    T
    ，总栅极电荷（ PC）
    1.0E-9
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    40
    45
    50
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    图5.栅极电荷
    图6. IDSS
    http://onsemi.com
    3

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