RS7302-285DLNNEP 参数 Datasheet PDF下载

页页次： 6/11

 

工作区和功耗

Maximum power dissipation of the RS7302 depends on the thermal resistance of the case and circuit board, the temperature 

管芯结和环境空气，以及气流的速度之间的差异。在器件的功耗为

P = I

OUT

X （V

IN

‐V

OUT

） 。由此产生的最大功耗为：

 

P

最大

=

(

T

J

−

T

A

) (

T

J

−

T

A

)

 

=

θ

JC

+

θ

CA

θ

JA

 

在哪里（T

J

‐T

A

）是RS7301芯结和周围空气之间的温度差，

θ

JC

 

是热

封装的电阻选择，而

θ

CA

 

是通过在印刷电路板的耐热性，铜迹线和

其他材料到周围空气中。为了更好的热沉，铜面积应得到同等的V之间共享

IN

, 

V

OUT

和GND管脚。

 

输入输出电压差

监管机构的最小输入输出电压差，或压差电压，确定最低可用电源电压。在

电池供电的系统，这将决定报废的有用电池电压。的RS7302使用P沟道MOSFET

导通晶体管，其电压差是漏极 - 源极导通电阻R的函数

DS （ ON）

乘以负载电流。

 

V

降

=

V

IN

−

V

OUT

=

R

DS

(

ON

)

×

I

OUT

 

 

 

 

 

 

 

 

DS‐RS7302‐02 

   

September, 2009 

www.Orister.com