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Q65110A6657 参数 Datasheet PDF下载

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型号: Q65110A6657
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内容描述: IR- Lumineszenzdiode ( 850纳米),麻省理工学院达赫Ausgangsleistung [IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 154 K
品牌: OSRAM [ OSRAM GMBH ]
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SFH 4253
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
100
μs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
+ 100
5
70
700
140
500
Einheit
Unit
°C
V
mA
mA
mW
K/W
T
op
, T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 70 mA
Centroid-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
F
= 70 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 70 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
280
K/W
Wert
Value
860
Einheit
Unit
nm
λ
centroid
850
nm
Δλ
42
nm
ϕ
±
60
0.04
Grad
deg.
mm
2
A
2009-08-25
2