SCD55100A ， SCD55101A ， SCD55102A ， SCD55103A ， SCD55104A
下面介绍如何格式化要加载的串行数据
到显示。用户提供比特串映射的解码
字符。此字符串的内容示于图“加载
串行字符数据“ （页
图“装入串行字符
数据之三B“ （页
示出每个字符由6个8位
话。第一字进行编码的显示字符位置和
随后的5个字节是数据行。行数据表示
单个列LED的状态（开，关） 。图“装载
串行字符数据C “（第
示出的每个8位字
格式化为包括三位操作代码（操作码）
由位D7 - D5和5位（ D4 - D0 ）表示列定义
数据，字符地址，或控制字数据。
图“装入串行字符数据D ”（第
显示
序，用于加载数据的字节数。使负载线低
使串行寄存器接受数据。换挡动作发生
在低串行数据时钟（ SDCLK ）的高转换。该
最显著位（ D0 ）先加载。 8个时钟脉冲后，
负载线拉高。随着这种转变的操作码
解码。解码的操作码指示D4 -D0在被锁定
的字符地址寄存器，存储在RAM中作为柱
数据或锁存控制字寄存器。控制IC
需要连续字节负载之间至少600毫微秒的延迟。
正如图“装入串行字符数据” （页
一共有660个时钟周期（ 60-8位字）需要加载全部
10个字符到显示器。
字符地址寄存器位， D4 - D0 （表“负载特性
器地址“ （页
和行地址寄存器位， D7 -D5
（表“装入列数据”（第
直接列数据位，
D4 - D0 （表“装入列数据”（第
具体到某些地区的RAM
化。表“字符'D '” （页
显示了该行地址
例如字符“ D”列中的数据写入和读取asynchro-
nously从250位的RAM 。一旦被载入内部振荡器
和字符多路复用器读取从RAM中的数据。这些
字符是行选通与列数据，如图
“行和列位置” （页
和“行频闪”
字符频闪速率由内部确定
或用户提供的外部时钟MUX和IC的320 ÷专柜。
字符“ D”
操作码
D7 D6 D5
行0
第1行
第2行
第3行
第4行
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
列数据
D4 D3 D2
C0 C1 C2
1
1
1
1
1
1
0
0
0
1
1
0
0
0
1
（十六进制）
D1
C3
1
0
0
0
1
D0
C4
0
1
1
1
0
1E
31
51
71
9E
串行加载数据字符
例如：串行时钟= 5 MHz时，时钟周期= 200纳秒
660个时钟周期， 132
µs
a.
字符0
字符1
人物2
人物3
人物4
人物5
6字符
7字符
八字
人物9
66个时钟周期， 13.2
µs
b.
字符0
地址
行0列
数据
行1列
数据
行2列
数据
行3列
数据
行4列
数据
11个时钟周期， 2.2 s
11个时钟周期， 2.2 s
c.
列数据
字符地址
时间
操作码
时间
操作码
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
间
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
间
负载
负载
0 0
0
0
0
1
0
0
600纳秒（分钟）
C4 C3 C2 C1 C0
600纳秒（分钟）
负载
时钟
期
串行
时钟
d.
数据
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
负载之间的时间
t0
2006-02-20
8
OSRAM [ OSRAM GMBH ]
