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2SA684 参数 Datasheet PDF下载

2SA684图片预览
型号: 2SA684
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planar type]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 99 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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2SA0683 , 2SA0684
P
C
T
a
1.2
−1.5
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
= −10
mA
−9
mA
−8
mA
−7
mA
−6
mA
−5
mA
−4
mA
−3
mA
−2
mA
−1
mA
−1.2
V
CE
= −10
V
T
a
=
25°C
I
C
I
B
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
−1.25
−1.0
0.8
−1.0
0.6
0.75
0.4
0.50
0.2
0.25
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(A)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0
40
80
120
160
0
−2
−4
−6
−8
−10
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(MA )
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
−100
V
BE ( SAT )
I
C
−100
h
FE
I
C
600
V
CE
= −10
V
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/ I
B
=
10
I
C
/ I
B
=
10
−10
−10
正向电流传输比H
FE
500
400
T
a
=
75°C
300
25°C
200
−25°C
−1
T
a
=
75°C
25°C
−25°C
−1
T
a
= −25°C
75°C
25°C
0.1
0.1
100
0.01
0.01
0.1
−1
−10
0.01
0.01
0.1
−1
−10
0
0.01
0.1
−1
−10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
I
E
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
200
V
CB
= −10
V
T
a
=
25°C
C
ob
V
CB
50
V
CER
R
BE
集电极 - 发射极电压
(V)
V
( B和E之间的电阻)
CER
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
−120
I
C
= −10
mA
T
a
=
25°C
过渡频率f
T
(兆赫)
160
40
−100
−80
120
30
−60
2SA0684
80
20
−40
2SA0683
40
10
−20
0
1
10
100
0
−1
−10
−100
0
0.1
1
10
100
发射极电流I
E
(MA )
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
基极 - 发射极电阻R
BE
(kΩ)
2
SJC00001CED