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2SD2136 参数 Datasheet PDF下载

2SD2136图片预览
型号: 2SD2136
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planar type]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 82 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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2SB1416
P
C
T
a
2.0
无散热片
I
C
V
CE
−1.2
−1.2
I
C
V
BE
Ta=25˚C
I
B
=–8mA
V
CE
=–4V
25˚C
Ta=75˚C
–25˚C
集电极耗散功率P
C
(W)
1.6
−1.0
−1.0
集电极电流I
C
(A)
0.8
–7mA
–6mA
集电极电流I
C
(A)
0.8
1.2
0.6
–5mA
–4mA
0.6
0.8
0.4
–3mA
–2mA
–1mA
0.4
0.4
0.2
0.2
0
0
0
40
80
120
160
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
−1.0
−1.2
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
−10
I
C
/I
B
=8
h
FE
I
C
240
V
CE
=–4V
f
T
I
E
300
V
CB
=–5V
f=200MHz
T
C
=25˚C
正向电流传输比H
FE
−1
Ta=75˚C
过渡频率f
T
(兆赫)
200
250
160
200
25˚C
0.1
Ta=75˚C
Ta=25˚C
Ta=–25˚C
120
–25˚C
150
80
100
0.01
40
50
0.001
−1
−10
−100
−1
000
0
−1
−10
−100
−1
000
0
0.01
0.1
−1
−10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
−100
单脉冲
T
C
=25˚C
R
th
t
10
4
无散热片
热阻R
th
( ° C / W)
集电极电流I
C
(A)
−10
I
CP
I
C
t=10ms
DC
t=1ms
10
3
10
2
−1
10
0.1
1
0.01
0.1
−1
−10
−100
10
−1
10
−4
10
−3
10
−2
10
−1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
时间t (S )
2
SJD00071BED