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2SK664 参数 Datasheet PDF下载

2SK664图片预览
型号: 2SK664
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内容描述: 切换 [For Switching]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 76 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
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硅MOS场效应管(小信号)
P
D
Ta
240
120
2SK0664
I
D
V
DS
60
| Y
fs
|
V
GS
正向转移导纳| Y
fs
| (女士)
Ta=25˚C
V
DS
=5V
Ta=25˚C
50
允许功耗P
D
( mW)的
200
100
漏电流I
D
(MA )
V
GS
=6.0V
80
5.5V
5.0V
60
160
40
120
4.5V
30
80
40
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
0
2
4
6
8
10
12
20
40
20
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
0
2
4
6
8
10
12
环境温度Ta (C )
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
输入电容(共源) ,输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
(PF )
12
V
GS
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
120
I
D
V
GS
漏源导通电阻R
DS ( ON)
(
)
120
V
DS
=5V
Ta=25˚C
100
R
DS ( ON)
V
GS
I
D
=20mA
100
10
C
国际空间站
8
漏电流I
D
(MA )
80
Ta=–25˚C
25˚C
80
6
60
75˚C
60
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
4
C
OSS
2
C
RSS
1
3
10
30
100
40
40
20
20
0
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
2
4
6
8
10
12
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
IN
I
O
100
30
V
O
=5V
Ta=25˚C
输入电压V
IN
(V)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
输出电流I
O
(MA )
290