s
电气特性（Ta = 25℃）
·
AN8003 / AN8003M （ 3V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
条件
V
I
= 3.5〜 9V ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至40mA ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至50mA ，T
j
=25˚C
V
I
= 2.9V ，我
O
= 20mA下，T
j
=25˚C
V
I
= 2.9V ，我
O
= 50毫安，T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安，T
j
=25˚C
V
I
= 4〜 6V ， F = 120Hz的
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
民
2.88
典型值
3
3
9
15
0.07
0.12
0.6
最大
3.12
50
25
30
0.2
0.3
1
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
最小的I / O电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
58
70
70
0.15
注1）规定条件的牛逼
j
= 25℃意味着测试应当与每个测试时间减少（在10ms内），以便进行
由于温度上升，在芯片结的漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
= 4V ，我
O
= 20mA下，C
O
=10µF
·
AN8035 / AN8035M （ 3.5V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小的I / O电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 4〜 9.5V ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至40mA ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至50mA ，T
j
=25˚C
V
I
= 3.4V ，我
O
= 20mA下，T
j
=25˚C
V
I
= 3.4V ，我
O
= 50毫安，T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安，T
j
=25˚C
V
I
= 4.5〜 6.5V ， F = 120Hz的
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
57
条件
民
3.36
典型值
3.5
3.5
10
20
0.07
0.12
0.6
69
75
0.2
最大
3.64
50
30
40
0.2
0.3
1
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1）规定条件的牛逼
j
= 25℃意味着测试应当与每个测试时间减少（在10ms内），以便进行
由于温度上升，在芯片结的漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
= 4.5V ，我
O
= 20mA下，C
O
=10µF
·
AN8004 / AN8004M （ 4V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小的I / O电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 4.5〜 10V ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至40mA ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至50mA ，T
j
=25˚C
V
I
= 3.8V ，我
O
= 20mA下，T
j
=25˚C
V
I
= 3.8V ，我
O
= 50毫安，T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安，T
j
=25˚C
V
I
= 5〜 7V ， F = 120Hz的
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
56
条件
民
3.84
典型值
4
3.5
10
20
0.07
0.12
0.6
67
80
0.2
最大
4.16
50
30
40
0.2
0.3
1
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1）规定条件的牛逼
j
= 25℃意味着测试应当与每个测试时间减少（在10ms内），以便进行
由于温度上升，在芯片结的漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
= 5V ，我
O
= 20mA下，C
O
=10µF
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
