s
电气特性（Ta = 25℃）
·
AN8045 / AN8045M （ 4.5V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
条件
V
I
= 5〜 10.5V ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至40mA ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至50mA ，T
j
=25˚C
V
I
= 4.3V ，我
O
= 20mA下，T
j
=25˚C
V
I
= 4.3V ，我
O
= 50毫安，T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安，T
j
=25˚C
V
I
= 5.5〜 7.5V ， F = 120Hz的
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
民
4.32
典型值
4.5
4
11
23
0.07
0.12
0.7
最大
4.68
50
35
45
0.2
0.3
1
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
最小的I / O电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
54
66
85
0.23
注1）规定条件的牛逼
j
= 25℃意味着测试应当与每个测试时间减少（在10ms内），以便进行
由于温度上升，在芯片结的漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
= 5.5V ，我
O
= 20mA下，C
O
=10µF
·
AN8005 / AN8005M （ 5V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小的I / O电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 5.5〜 11V ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至40mA ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至50mA ，T
j
=25˚C
V
I
= 4.8V ，我
O
= 20mA下，T
j
=25˚C
V
I
= 4.8V ，我
O
= 50毫安，T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安，T
j
=25˚C
V
I
= 6〜 8V ， F = 120Hz的
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
52
条件
民
4.8
典型值
5
4.5
12
25
0.07
0.12
0.7
64
95
0.25
最大
5.2
50
40
50
0.2
0.3
1
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1）规定条件的牛逼
j
= 25℃意味着测试应当与每个测试时间减少（在10ms内），以便进行
由于温度上升，在芯片结的漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
= 6V ，我
O
= 20mA下，C
O
=10µF
·
AN8006 / AN8006M （ 6V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小的I / O电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/ TA
T
j
=25˚C
V
I
= 6.5〜 12V ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至40mA ，T
j
=25˚C
I
O
= 1至50mA ，T
j
=25˚C
V
I
= 5.8V ，我
O
= 20mA下，T
j
=25˚C
V
I
= 5.8V ，我
O
= 50毫安，T
j
=25˚C
I
O
= 0毫安，T
j
=25˚C
V
I
= 7〜 9V ， F = 120Hz的
F = 10Hz至100kHz
T
j
= -30 〜+ 125℃
51
条件
民
5.76
典型值
6
5.5
13
28
0.07
0.13
0.7
63
105
0.3
最大
6.24
60
45
55
0.2
0.3
1.2
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1）规定条件的牛逼
j
= 25℃意味着测试应当与每个测试时间减少（在10ms内），以便进行
由于温度上升，在芯片结的漂移特性值可以被忽略。
注2）除非另有说明，V
I
= 7V ，我
O
= 20mA下，C
O
=10µF
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
