AN80xx / AN80xxM系列
I
在T电气特性
a
=
25 ° C（续）
•
AN8007 ， AN8007M （N型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
7.5〜 13V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
6.8V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
6.8V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
8〜 10V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= −30
to
+125°C
50
条件
民
6.72
典型值
7
6.5
14
31
0.07
0.13
0.7
62
120
0.35
最大
7.28
70
50
60
0.2
0.3
1.3
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
8V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10µF.
•
AN8008 ， AN8008M （ 8V型）
yp
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
8.5〜 14V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
7.8V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
7.8V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
9〜 11V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= −30
to
+125°C
49
条件
民
7.68
典型值
8
7.5
15
34
0.07
0.14
0.7
61
135
0.4
最大
8.32
80
55
65
0.2
0.3
1.3
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
9V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10µF.
•
AN8085 ， AN8085M
yp
（ 8.5V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
9〜 14.5V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
8.3V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
8.3V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
9.5〜 11.5V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= −30
to
+125°C
48
条件
民
8.16
典型值
8.50
8.3
16
36
0.07
0.14
0.8
60
140
0.43
最大
8.84
90
60
70
0.2
0.3
1.4
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
9.5V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10µF.
SFF00007CEB
5
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
