AN80xx / AN80xxM系列
I
在T电气特性
a
=
25 ° C（续）
•
AN8009 ， AN8009M （ 9V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
9.5〜 15V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
8.8V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
8.8V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
10〜 12V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= −30
to
+125°C
47
条件
民
8.64
典型值
9
9
17
37
0.07
0.14
0.8
59
150
0.45
最大
9.36
100
70
75
0.2
0.3
1.4
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
10V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10µF.
•
AN8010 ， AN8010M （ 10V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
∆V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
10.5〜 16V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
9.8V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
9.8V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
11〜 13V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= −30
to
+125°C
46
条件
民
9.6
典型值
10
10
18
40
0.07
0.14
0.8
58
165
0.5
最大
10.4
100
75
85
0.2
0.3
1.4
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
µV
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
11V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10µF.
6
SFF00007CEB
PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
