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    XN1211 参数 Datasheet PDF下载

    XN1211图片预览
    型号： XN1211
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面晶体管 [Silicon NPN epitaxial planer transistor]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 50 K
    品牌： PANASONIC [ PANASONIC SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号XN1211的Datasheet PDF文件第1页浏览型号XN1211的Datasheet PDF文件第3页  
    复合晶体管
    P
    T
    - TA
    500
    XN01211
    总功耗P
    T
    （ mW）的
    400
    300
    200
    100
    0
    0
    40
    80
    120
    160
    环境温度Ta （C ）
    I
    C
    — V
    CE
    160
    100
    V
    CE （ SAT ）
    — I
    C
    集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    (V)
    Ta=25˚C
    I
    C
    /I
    B
    =10
    400
    h
    FE
    — I
    C
    V
    CE
    =10V
    30
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    –25˚C
    0.03
    0.01
    0.1
    120
    100
    80
    60
    0.7mA
    0.6mA
    0.5mA
    0.4mA
    0.3mA
    正向电流传输比H
    FE
    140
    I
    B
    =1.0mA
    0.9mA
    0.8mA
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    300
    Ta=75˚C
    200
    25˚C
    100
    –25˚C
    0.2mA
    40
    20
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    25˚C
    Ta=75˚C
    0.1mA
    0
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1000
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    C
    ob
    — V
    CB
    6
    I
    O
    — V
    IN
    f=1MHz
    I
    E
    =0
    Ta=25˚C
    10000
    3000
    V
    O
    =5V
    Ta=25˚C
    100
    30
    V
    IN
    — I
    O
    V
    O
    =0.2V
    Ta=25˚C
    集电极输出电容C
    ob
    （PF ）
    5
    输出电流I
    O
    (
    µA
    )
    4
    300
    100
    30
    10
    3
    输入电压V
    IN
    (V)
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    1000
    10
    3
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    0.1
    3
    2
    1
    0
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    1
    0.4
    0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    集电极基极电压V
    CB
    (V)
    输入电压V
    IN
    (V)
    输出电流I
    O
    （MA ）
    2

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