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4283-52 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 4283-52
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内容描述: SPDT大功率UltraCMOS⑩ DC - 4.0 GHz射频开关 [SPDT High Power UltraCMOS⑩ DC - 4.0 GHz RF Switch]
分类和应用: 开关射频开关光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 230 K
品牌: PEREGRINE [ PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORP. ]
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PE4283
产品speci fi cation
图3.引脚CON组fi guration (顶视图)
销1
表4.直流电特定网络阳离子
参数
2.0
典型值
3.0
最大
3.3
单位
V
RF1
GND
RF2
1
6
V2
RFC
V1
V
DD
电源电压
I
DD
电源电流
(V1 = 3V, V2 = 3V)
控制电压高
283
2
5
3
4
8
0.7倍V
DD
50
µA
V
表2.引脚说明
1
2
3
4
5
控制电压低
0.3X V
DD
V
名字
RF1
GND
RF2
V1
RFC
RF端口1
2
描述
闭锁避免
与传统的CMOS器件,的UltraCMOS ™
设备是免疫的闩锁。
静电放电( ESD )注意事项
在处理这个的UltraCMOS ™器件,观察
你将与使用相同的注意事项
其他ESD敏感设备。虽然这个设备
包含电路,以保护其免受损坏,由于
ESD ,应采取预防措施,以避免
超过表3规定的额定值。
接地连接。走线应
实际上较短的和连接到地
飞机的最佳性能。
RF PORT2
2
切换控制输入端, CMOS逻辑电平。
射频共
2
该引脚支持两种接口选择:
单引脚控制模式。
标称3伏
需要电源连接。
互补引脚控制模式。
A
CMOS互补的控制信号
以V1提供给该引脚。
6
V2
图4.最大工作输入功率
3
注: 2.所有RF引脚必须DC封锁与外部串联
电容或0 VDC举行。
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
T
ST
T
OP
P
IN
参数/条件
电源电压
在任何输入电压
储存温度
范围
工作温度
范围
输入功率( 50Ω )
电压ESD (HBM ,
ML_STD 883方法
3015.7)
ESD电压( MM ,
JEDEC , JESD22 - A114 -B )
-0.3
-0.3
-65
-40
最大
4.0
V
DD
+
0.3
150
85
+34
1500
100
单位
V
V
°C
°C
DBM
V
V
注: 3.在DC的限制(表4 )操作。
V
ESD
绝对最大额定值是那些价值
在上表中列出。超过这些值
可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应被限制到
在直流电气规格表的限制。
置身于绝对最大额定值
长时间可能会影响器件的可靠性。
©2005 Peregrine半导体公司保留所有权利。
第11 2
文档编号70-0177-04
的UltraCMOS RFIC ™解决方案