（初步）
PL680-37/38/39
38-640MHz低相位噪声XO
电气规格
1.绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压， DC
输出电压，直流
储存温度
工作环境温度*
结温
焊接温度（焊接， 10秒）
ESD保护，人体模型
符号
V
DD
V
I
V
O
T
S
T
A
T
J
分钟。
-0.5
-0.5
-65
-40
马克斯。
4.6
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
150
85
125
260
2
单位
V
V
V
°C
°C
°C
°C
kV
超出长时间最大额定值所指明的限制条件下的曝光装置的可能会造成永久性的损坏
装置，并影响了产品的可靠性。这些条件表示在这些或任何其它的应力只等级，并且该器件的功能性操作
上述本说明书中提到的操作限制条件是不是暗示。
*
注意：
工作温度是由设计，所有部件（商业和工业）保证，但测试的唯一的商业档次。
2.水晶规格
参数
晶体谐振器频率
水晶装载评级
水晶并联电容
推荐ESR
符号
F
XIN
C
L（ XTAL ）
C
0 （ XTAL ）
R
E
条件
水货基本模式
分钟。
19
典型值。
17.7
马克斯。
40
5
30
单位
兆赫
pF
pF
Ω
AT切割
注意：
水晶装载的评价： 17.7pF的晶振看到的XO芯片的负荷。据推测，该晶体会在此标称频率
负载。如果晶体需要较少负荷以在标称频率，则电容器可以放置在一系列的晶体。如果晶体，需要更多的
负载是在额定频率，电容可以放置在XIN和XOUT到地面。然而，这可能会降低振荡器增益。
3.通用电气规格
参数
电源电流，
动态（带
加载输出）
工作电压
输出时钟
占空比
短路
当前
注意：
CMOS操作不高于200MHz的具有15pF的负载建议;和320MHz的具有10pF的负载。
符号
I
DD
V
DD
条件
PECL / LVDS / CMOS
PECL / LVDS
38MHz<Fout<320MHz
320MHz<Fout<640MHz
分钟。
典型值。
马克斯。
65/45/30
90/70
单位
mA
V
%
mA
@ 50% V
DD
（ CMOS）的
@ 1.25V （ LVDS ）
@ V
DD
- 1.3V （ PECL ）
2.25
45
45
45
50
50
50
±50
3.63
55
55
55
47745弗里蒙特大道，弗里蒙特，加利福尼亚州94538电话：（ 510 ） 492-0990传真：（ 510 ） 492-0991
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转05年11月28日第4页
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