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BD744B 参数 Datasheet PDF下载

BD744B图片预览
型号: BD744B
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内容描述: PNP硅功率晶体管 [PNP SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 91 K
品牌: POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
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BD744 , BD744A , BD744B , BD744C
PNP硅功率晶体管
1978年8月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD744
V
( BR ) CEO
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
(见注5 )
BD744A
BD744B
BD744C
V
CE
= -50 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CE
= -110 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
V
CE
= -110 V
I
首席执行官
I
EBO
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-4 V
-0.5 A
-5 A
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -1 A
I
C
= -5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -1 A
I
C
= -1 A
(见注5和6)
(见注5和6)
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
5
(见注5和6)
40
20
5
-1
-3
-1
-3
V
V
150
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
BD744
BD744A
BD744B
BD744C
BD744/744A
BD744B/744C
-45
-60
-80
-100
-0.1
-0.1
-0.1
-0.1
-5
-5
-5
-5
-0.1
-0.1
-0.5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
h
fe
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
|
h
fe
|
注: 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
1.4
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= -5 A
V
BE (OFF)的
= 4.2 V
I
B(上)
= -0.5 A
R
L
= 6
I
B(关闭)
= 0.5 A
t
p
= 20微秒,直流
2%
典型值
20
120
600
300
最大
单位
ns
ns
ns
ns
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
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