BD744B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD744B
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内容描述：	PNP硅功率晶体管 [PNP SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 91 K
品牌：	POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]

BD744 ， BD744A ， BD744B ， BD744C

PNP硅功率晶体管

1978年8月 - 修订1997年3月

典型特征

典型的直流电流增益

集电极电流

1000

= -4 V

= 300微秒，占空比< 2 ％

TCS638AA

集电极 - 发射极饱和电压

集电极电流

CE （ SAT ）

- 集电极 - 发射极饱和电压 - V

-10

= 10

= 300μS ，占空比< 2 ％

TCS638AB

= 125°C

= 25°C

= -55°C

- 直流电流增益

-1·0

100

-0·1

= -55°C

= 25°C

= 125°C

-0·01

-0·1

-1·0

-10

-100

-0·1

-1·0

-10

-100

- 集电极电流 - 一个

图1 。

图2中。

最大安全工作区

最大正向偏置

安全工作区

-100

SAS638AA

- 集电极电流 - 一个

-10

= 1毫秒，

d = 0.1 = 10%

= 10毫秒，

d = 0.1 = 10%

= 50毫秒，

d = 0.1 = 10%

直流操作

-1·0

-0·1

BD744

BD744A

BD744B

BD744C

-0·01

-1·0

-10

-100

-1000

- 集电极 - 发射极电压 - V

网络连接gure 3 。

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信息

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