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型号: BULD25SL
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内容描述: 带集成二极管NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE]
分类和应用: 晶体二极管晶体管开关
文件页数/大小: 12 页 / 280 K
品牌: POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
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BULD25D , BULD25DR , BULD25SL
带集成二极管NPN硅晶体管
1994年7月 - 修订1997年9月
在25 ° C环境温度绝对最大额定值(除非另有说明) (续)
等级
连续集电极电流(见注1 )
峰值集电极电流(见注2 )
连续基极电流(见注1 )
峰值基极电流(见注2 )
在(或低于) 25 ° C的环境温度下连续器件耗散
BULD25D
BULD25SL
符号
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
I
E( AV)
T
j
T
英镑
价值
2
4
1.5
2.5
见图10
见图11
0.5
-65到+150
-65到+150
单位
A
A
A
A
W
A
°C
°C
最大平均连续二极管在(或低于) 25 ° C的环境温度正向电流
工作结温范围
存储温度范围
注: 1。此值适用于吨
p
=
1 s.
2.该值适用于吨
p
=
10毫秒,占空比
2%.
在25 ° C的环境温度下的电气特性
参数
V
CEO ( SUS )
I
CES
I
EBO
V
BE ( SAT )
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极
截止电流
发射极截止
当前
基射
饱和电压
集电极 - 发射极
饱和电压
正向电流
传输比
反并联二极管
正向电压
I
C
=
0.1 A
V
BE
= 0
I
C
= 0
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
I
C
=
1A
I
C
= 0.01 A
I
C
= 0.5 A
I
C
=
1A
(见注3和4)
(见注3和4)
(见注3和4)
(见注3和4)
10
10
10
0.9
0.3
0.6
18
15
15
1.5
20
20
1.7
V
测试条件
400
10
1
1.1
0.5
1
典型值
最大
单位
V
µA
mA
V
V
V
CE
= 600 V
V
EB
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
9V
0.1 A
0.1 A
0.2 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 1.5 V
V
CE
=
I
E
=
5V
1A
h
FE
V
EC
注: 3。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
4.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量,并位于
1mm内从装置主体对于D包和从装置主体3.2毫米为SL包。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
ð包
SL包装
典型值
最大
165
115
单位
° C / W
在25 ° C环境温度的开关特性
参数
t
rr
t
s
t
f
反并联二极管
反向恢复时间
贮存时间
下降时间
测试条件
测量通过举办晶体管
在断开条件下, V
EB
= -3 V
(见注5 )
(见注5 )
(见注5 )
2
典型值
0.5
3.5
0.25
最大
1
5
0.35
单位
µs
µs
µs
5 :请参考图12 , 13和14的功能测试电路和开关波形。
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2