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F1001 参数 Datasheet PDF下载

F1001图片预览
型号: F1001
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F1001
POUT VS PIN GRAPH
F1001 POUT VS引脚IDQ = 0.1A ; F = 175 MHZ VDS = 28V
电容VS电压
F1B 1裸片电容VS的Vds
20
19
100
35
30
18
25
20
15
10
效率= 75%
5
11
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
17
16
15
14
13
12
10
科斯
西塞
CRSS
10
PIN (瓦)
收益
1
0
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
IV曲线
F1B 1DIE IV曲线
ID和GM VS VGS
F1B 1 DIE GM & ID VS VG
6
10
Id
5
4
1
3
2
0.1
1
Gm
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
12
14
16
18
20
0.01
0
2
4
6
8
10
12
14
VGS的电压
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com