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F1222 参数 Datasheet PDF下载

F1222图片预览
型号: F1222
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 42 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F1222
POUT VS PIN GRAPH
F1222 POUT VS引脚F = 400 MHZ ; IDQ = 0.8A ;
VDS=12.5V
25
22.00
20
20.00
18.00
15
16.00
效率= 65 %
10
14.00
10
100
1000
电容VS电压
F1C 2DIE电容
科斯
西塞
CRSS
12.00
5
10.00
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
8.00
3
收益
1
0
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
PIN (瓦)
IV曲线
F1C 2 DIE IV曲线
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
ID和GM VS VGS
F1C 2死GM & ID VS VGS
100
Id
10
Gm
1
12
14
16
18
20
0.1
0
2
4
6
VGS的电压
8
10
12
14
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com