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LX703 参数 Datasheet PDF下载

LX703图片预览
型号: LX703
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号LX703的Datasheet PDF文件第1页  
LX703
POUT VS PIN GRAPH
LX703 POUT VS PIN频率= 500MHz的, VDS = 28V , IDQ = .6A
52
16.00
1000
50
15.00
电容VS电压
L1B 3DIE电容
48
14.00
100
13.00
西塞
科斯
效率 - 60 %
46
1分贝compresion = 100W
44
12.00
10
42
11.00
CRSS
40
收益
10.00
1
38
23
25
27
29
31
33
35
37
39
PIN码以dBm为单位
9.00
0
5
10
15
20
25
30
以伏VDS
IV曲线
L1B 3 DIE四
30
100
ID & GM VS VGS
L1B 3 DIE
ID ,通用VS VG
ID
25
20
ID为安培
10
15
10
1
GM
5
0
0
2
4
6
8
10
12
以伏VDS
Vg=6v
vg=8v
14
16
18
20
0.1
vg=2v
Vg=4v
vg=10v
vg=12v
0
2
4
6
8
VGS的电压
10
12
14
S11 & S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2001年3月8日
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com