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CM200DU-24H 参数 Datasheet PDF下载

CM200DU-24H图片预览
型号: CM200DU-24H
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内容描述: 双IGBTMOD 200安培/ 1200伏 [Dual IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网超快速恢复二极管
文件页数/大小: 4 页 / 61 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
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Powerex公司,公司,希利斯街200号,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
CM200DU-24H
双IGBTMOD ™ U系列模块
200安培/ 1200伏
绝对最大额定值,
T
j
= 25
°C
除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压(G -E SHORT )
栅极 - 发射极电压(C -E SHORT )
集电极电流(T
c
= 25°C)
峰值集电极电流(T
j
150°C)
发射极电流** (T
c
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散(T
c
= 25°C)
安装扭矩, M6主要终端
安装扭矩, M6安装
重量
隔离电压(主候机楼至底座, AC 1分钟)
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
V
ISO
CM200DU-24H
-40至150
-40至125
1200
±20
200
400*
200
400*
1130
40
40
400
2500
单位
°C
°C
安培
安培
安培
安培
在磅
在磅
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
J(下最大)
投资评级。
**表示在反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI ) 。
静态电气特性,
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 20mA时, V
CE
= 10V
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 25°C
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 125°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压*
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A ,V
GE
= 15V
I
E
= 200A ,V
GE
= 0V
分钟。
4.5
典型值。
6
2.9
2.85
750
马克斯。
1
0.5
7.5
3.7
3.2
单位
mA
µA
nC
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
J(下最大)
投资评级。
动态电气特性,
TT
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电阻
负载
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 1.6 ,电阻
负载开关操作
I
E
= 200A ,二
E
/ DT = -400A / μs的
I
E
= 200A ,二
E
/ DT = -400A / μs的
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
测试条件
分钟。
典型值。
1.1
马克斯。
30
10.5
6
200
300
300
350
300
单位
nf
nf
nf
ns
ns
ns
ns
ns
µC
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
热性能和机械性能,
T
j
= 25
°C
除非另有说明
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到外壳
接触热阻
符号
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
D
R
TH( C-F )
测试条件
每个IGBT模块1/2
每FWDI 1/2模块
每个模块,散热膏的应用
分钟。
典型值。
0.020
马克斯。
0.11
0.18
单位
° C / W
° C / W
° C / W
58