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    CM200DU-24H 参数 Datasheet PDF下载

    CM200DU-24H图片预览
    型号： CM200DU-24H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双IGBTMOD 200安培/ 1200伏 [Dual IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts]
    分类和应用： 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网超快速恢复二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 61 K
    品牌： POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号CM200DU-24H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CM200DU-24H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CM200DU-24H的Datasheet PDF文件第4页  
    Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
    CM200DU-24H
    双IGBTMOD ™ U系列模块
    200安培/ 1200伏
    输出特性
    （典型值）
    传输特性
    （典型值）
    集电极 - 发射极
    饱和电压特性
    （典型值）
    400
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    320
    240
    V
    GE
    = 20V
    11
    320
    集电极 - 发射极
    饱和电压V
    CE （ SAT ）
    （伏
    )
    T
    j
    = 25
    o
    C
    400
    15
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    5
    V
    CE
    = 10V
    T
    j
    = 25°C
    T
    j
    = 125°C
    V
    GE
    = 15V
    T
    j
    = 25°C
    T
    j
    = 125°C
    12
    4
    3
    2
    1
    240
    160
    80
    10
    160
    80
    0
    9
    8
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    集电极 - 发射极电压，V
    CE
    （伏）
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0
    80
    160
    240
    320
    400
    栅极 - 发射极电压V
    GE
    （伏）
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    集电极 - 发射极
    饱和电压特性
    （典型值）
    续流二极管
    正向特性
    （典型值）
    电容与V
    CE
    （典型值）
    10
    集电极 - 发射极
    饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
    10
    3
    T
    j
    = 25°C
    10
    2
    T
    j
    = 25°C
    电容C
    IES
    , C
    OES
    , C
    水库
    （ NF）
    V
    GE
    = 0V
    F = 1MHz的
    8
    I
    C
    = 400A
    发射极电流，I
    E
    （安培）
    10
    1
    6
    I
    C
    = 200A
    C
    IES
    10
    2
    4
    2
    10
    0
    C
    OES
    I
    C
    = 80A
    C
    水库
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    栅极 - 发射极电压V
    GE
    （伏）
    10
    1
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    10
    -1
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    发射极 - 集电极电压V
    EC
    （伏）
    集电极 - 发射极电压，V
    CE
    （伏）
    半桥
    开关特性
    （典型值）
    反向恢复特性
    （典型值）
    的di / dt = -400A /微秒
    T
    j
    = 25°C
    反向恢复电流，I
    rr
    （安培）
    栅极电荷V
    GE
    10
    3
    反向恢复时间，T
    rr
    （纳秒）
    10
    3
    t
    f
    t
    D（关闭）
    t
    D（上）
    10
    2
    20
    栅极 - 发射极电压V
    GE
    （伏）
    I
    C
    = 200A
    16
    12
    8
    4
    V
    CC
    = 400V
    切换时间（纳秒）
    t
    rr
    V
    CC
    = 600V
    10
    2
    10
    2
    I
    rr
    10
    1
    t
    r
    V
    CC
    = 600V
    V
    GE
    =
    ±15V
    R
    G
    = 1.6
    Ω
    T
    j
    = 125°C
    10
    1
    10
    1
    10
    2
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    10
    3
    10
    1
    10
    1
    10
    0
    10
    2
    发射极电流，I
    E
    （安培）
    10
    3
    0
    0
    250
    500
    750
    1000
    栅极电荷，Q
    G
    （ NC ）
    59

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