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FK16SM-6 参数 Datasheet PDF下载

FK16SM-6图片预览
型号: FK16SM-6
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内容描述: N沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 62 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
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三菱N沟道功率MOSFET
FK16SM-6
高速开关使用
输出特性
(典型值)
50
P
D
=
125W
V
GS
= 20V
10V
7V
20
T
C
= 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
16
输出特性
(典型值)
V
GS
=20V
10V
T
C
= 25°C
脉冲测试
6V
漏电流I
D
(A)
40
30
12
P
D
= 125W
8
5V
20
6V
10
5V
4
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
20
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
(Ω)
T
C
= 25°C
脉冲测试
16
I
D
= 30A
1.0
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
T
C
= 25°C
脉冲测试
0.8
V
GS
= 10V
0.6
20V
12
8
16A
4
8A
0.4
0.2
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
40
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
10
1
7
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
3
2
10
0
7
5
3
2
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
T
C
= 25°C
75°C
125°C
漏电流I
D
(A)
32
24
16
8
0
0
4
8
12
16
20
10
–1 0
10
V
DS
= 10V
脉冲测试
2 3
5 7 10
1
2 3
5 7 10
2
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Feb.1999