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FK16SM-6 参数 Datasheet PDF下载

FK16SM-6图片预览
型号: FK16SM-6
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内容描述: N沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 62 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
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三菱N沟道功率MOSFET
FK16SM-6
高速开关使用
电容与
漏源电压
(典型值)
5
3
2
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
开关特性
(典型值)
10
3
7
5
TCH = 25°C
V
DD
= 150V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 25Ω
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
西塞
切换时间(纳秒)
3
2
t
D(关闭)
10
2
7
5
3
2
10
1
10
0
2 3
t
f
t
r
t
D(上)
科斯
CRSS
3总胆固醇= 25°C
2 F = 1MHz的
V
GS
= 0V
10
1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
5 7 10
1
2 3
5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
40
源电流我
S
(A)
20
TCH = 25°C
I
D
= 16A
16
V
DS
= 50V
100V
200V
8
V
GS
= 0V
脉冲测试
T
C
= 125°C
25°C
32
12
24
75°C
16
4
8
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0
50
100
150
200
250
5.0
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
Feb.1999