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    FS30SM-3 参数 Datasheet PDF下载

    FS30SM-3图片预览
    型号： FS30SM-3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 48 K
    品牌： POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FS30SM-3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FS30SM-3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FS30SM-3的Datasheet PDF文件第4页  
    三菱N沟道功率MOSFET
    FS30SM-3
    高速开关使用
    导通电压VS.
    栅源电压
    （典型值）
    5
    T
    C
    = 25°C
    脉冲测试
    通态电阻VS.
    漏电流
    （典型值）
    100
    T
    C
    = 25°C
    脉冲测试
    漏极 - 源极导通状态
    电阻R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    漏极 - 源极导通状态
    电压V
    DS （ ON）
    (V)
    4
    I
    D
    = 50A
    80
    V
    GS
    = 10V
    20V
    3
    60
    2
    30A
    40
    1
    10A
    20
    0
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    3 5 7 10
    0
    2 3 5 7 10
    1
    2 3 5 7 10
    2
    2 3
    漏电流I
    D
    (A)
    栅极 - 源极电压V
    GS
    (V)
    传输特性
    （典型值）
    50
    T
    C
    = 25°C
    V
    DS
    = 10V
    脉冲测试
    正向转移导纳
    VS.DRAIN CURRENT
    （典型值）
    10
    2
    V
    DS
    = 10V
    7
    脉冲测试
    5
    4
    3
    2
    10
    1
    7
    5
    4
    3
    2
    T
    C
    = 25°C
    75°C
    125°C
    漏电流I
    D
    (A)
    30
    20
    10
    正向传递
    导纳
    y
    fs
    (S)
    40
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    10
    0 0
    10
    2 3 4 5 7 10
    1
    2 3 4 5 7 10
    2
    栅极 - 源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    电容与
    漏源电压
    （典型值）
    2
    10
    4
    7
    5
    3
    2
    10
    3
    7
    5
    3
    2
    10
    3
    7
    5
    4
    3
    2
    开关特性
    （典型值）
    T
    ch
    = 25°C
    V
    DD
    = 80V
    V
    GS
    = 10V
    R
    根
    = R
    GS
    = 50Ω
    西塞
    切换时间（纳秒）
    电容
    西塞，科斯，的Crss （PF ）
    t
    D（关闭）
    科斯
    CRSS
    10
    2
    7
    T
    ch
    = 25°C
    5
    F = 1MH
    Z
    3
    V
    GS
    = 0V
    2
    3 5 710
    0
    2 3 5 7 10
    1
    2 3 5 7 10
    2
    2 3
    10
    2
    7
    5
    4
    3
    2
    10
    1 0
    10
    t
    f
    t
    r
    t
    D（上）
    2 3 4 5 7 10
    1
    2 3 4 5 7 10
    2
    漏源电压V
    DS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Feb.1999

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