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FS30SM-3 参数 Datasheet PDF下载

FS30SM-3图片预览
型号: FS30SM-3
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内容描述: N沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 48 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
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三菱N沟道功率MOSFET
FS30SM-3
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
50
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
20
T
ch
= 25°C
I
D
= 30A
16
源电流我
S
(A)
V
DS
= 50V
40
T
C
= 125°C
12
80V
100V
30
8
20
75°C
25°C
4
10
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
7
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
5
脉冲测试
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
5.0
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH( CH-C )
( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
D = 1.0
2
10
0
0.5
7
0.2
P
DM
5
3
0.1
tw
2
0.05
T
10
–1
0.02
7
D
=
tw
5
0.01
T
3
单脉冲
2
10
–2 –4
10 2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)