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PSTG75HST12 参数 Datasheet PDF下载

PSTG75HST12图片预览
型号: PSTG75HST12
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内容描述: 电力线的N沟道沟槽栅-IGBT模块 [Powerline N-Channel Trench Gate-IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 144 K
品牌: POWERSEM [ POWERSEM GMBH ]
 浏览型号PSTG75HST12的Datasheet PDF文件第1页  
PSTG 75HST12
符号
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
C
OES
C
IES
V
FM
t
rr
I
RRM
NTC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0 V,
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
I
C
= 75 A,V
GE
= 15 V
I
C
= 1 A,V
GE
= V
CE
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 50% V
CES
, I
C
= 25 A
R
G
= 5
Ω,
V
GE
=
±15
V
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
特征值
典型值。
马克斯。
0.6
3
1.5
2.3
mA
mA
µA
V
V
V
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
pF
pF
1.9
1.92
90
36
470
V
V
ns
A
kΩ
1.9
2.1
7
170
17
340
60
2
3.5
12000
510
75
V
CE
= 75 V, V
GE
= 15 V , F = 1兆赫
V
CE
= 75 V, V
GE
= 15 V , F = 1兆赫
V
CE
= 75 V, V
GE
= 15 V , F = 1兆赫
I
F
= 75 A,
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
F
= 75一,二
RR
/ DT = 600 A / μs的,
V
R
= 50% V
RRM
25°C
包装风格和外形
尺寸mm (高度仅1mm = 0.0394 “ )
POWERSEM有限公司, Walperdorfer海峡。 53
91126 D-施瓦巴赫
电话: 09122 - 9764-0传真: 09122 - 9764-20
2005年POWERSEM保留更改限制,试验条件和尺寸的权利