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    P3C1024L70SC 参数 Datasheet PDF下载

    P3C1024L70SC图片预览
    型号： P3C1024L70SC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗128K ×8 CMOS静态RAM [ULTRA LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 114 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P3C1024L70SC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P3C1024L70SC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P3C1024L70SC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P3C1024L70SC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P3C1024L70SC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P3C1024L70SC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P3C1024L70SC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P3C1024L70SC的Datasheet PDF文件第9页  
    P3C1024L
    READ CYCLE NO. 1 (OE CONTROLLED)
    (1)
    OE
    READ CYCLE NO. 2 (ADDRESS CONTROLLED)
    READ CYCLE NO. 3 (CE CONTROLLED)
    CE
    Notes:
    1.
    WE
    is HIGH for READ cycle.
    2.
    CE
    1
    and
    OE
    is LOW, and CE
    2
    is HIGH for READ cycle.
    3. ADDRESS must be valid prior to, or coincident with later of
    CE
    1
    transition LOW or CE
    2
    transition HIGH.
    4. Transition is measured ± 200 mV from steady state voltage prior
    to change, with loading as specified in Figure 1. This parameter
    is sampled and not 100% tested.
    5. READ Cycle Time is measured from the last valid address to the
    first transitioning address.
    Document #
    SRAM132
    REV OR
    Page 4 of 9

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