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    P4C1023-55CWC 参数 Datasheet PDF下载

    P4C1023-55CWC图片预览
    型号： P4C1023-55CWC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低功耗128K ×8单芯片使能CMOS静态RAM [LOW POWER 128K x 8 SINGLE CHIP ENABLE CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 336 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第10页  
    P4C1023/P4C1023L
    写周期NO.2时序波形（ CE控制）
    (6)
    CE
    AC测试条件
    输入脉冲电平
    输入上升和下降时间
    输入时序参考电平
    输出时序参考电平
    输出负载
    GND到3.0V
    3ns
    1.5V
    1.5V
    参见图1和2
    真值表
    模式
    待机
    D
    OUT
    残
    读
    写
    CE OE WE
    H
    L
    L
    L
    X
    H
    L
    X
    X
    H
    H
    L
    I / O
    高Z
    高Z
    D
    OUT
    D
    IN
    动力
    待机
    活跃
    活跃
    活跃
    *包括范围和测试夹具。
    注意：
    因为P4C1023L的高速的，必须注意，当
    测试此设备;不适当的设置可能会导致正常功能 -
    荷兰国际集团的部分被拒绝的错误。长高的电感导致的原因
    一定要避免使V电源反弹
    CC
    层和接地层
    直接到接触手指。一个0.01μF高频电容
    V之间也需要
    CC
    和地面。
    为了避免信号反射，适当的终止必须使用;为
    例如，一个50Ω的测试环境应终止为50Ω
    负载与1.77V （戴维南电压）在比较器的输入，以及一个
    589Ω的电阻，必须在一系列的D使用
    OUT
    匹配639Ω
    （戴维南电阻） 。
    文档＃
    SRAM126
    转或
    第11 6

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