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    P4C1023-55CWC 参数 Datasheet PDF下载

    P4C1023-55CWC图片预览
    型号： P4C1023-55CWC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低功耗128K ×8单芯片使能CMOS静态RAM [LOW POWER 128K x 8 SINGLE CHIP ENABLE CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 336 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C1023-55CWC的Datasheet PDF文件第9页  
    P4C1023/P4C1023L
    交流特性 - 写周期
    （在推荐的工作温度&电源电压）
    符号
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AW
    t
    AS
    t
    WP
    t
    AH
    t
    DW
    t
    DH
    t
    WZ
    t
    OW
    参数
    写周期时间
    芯片使能时间
    写的结束
    地址有效到
    写结束
    地址建立时间
    把脉冲宽度
    地址保持时间
    数据有效结束
    写
    数据保持时间
    写使能到
    在高Z输出
    输出活动
    写结束
    5
    -55
    民
    55
    50
    50
    0
    40
    0
    25
    0
    25
    5
    最大
    民
    70
    60
    60
    0
    50
    0
    30
    0
    30
    -70
    最大
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    写周期号1 （我们控制）
    (6)
    WE
    注意事项：
    6.
    CE
    和
    WE
    为低电平的写周期。
    7.
    OE
    为低电平的写周期显示TWZ和拖车。
    8.写周期时间是从最后一个有效地址的第一个过渡的地址进行测量。
    文档＃
    SRAM126
    转或
    第11个5

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