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P4C1023L 参数 Datasheet PDF下载

P4C1023L图片预览
型号: P4C1023L
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内容描述: 低功耗128K ×8单芯片使能CMOS静态RAM [LOW POWER 128K x 8 SINGLE CHIP ENABLE CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 336 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C1023/P4C1023L
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ,T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
7
9
单位
pF
pF
功耗特性VS. SPEED
符号
参数
温度
范围
广告
I
CC
动态工作电流
产业
军事
注1
-55
-70
20
25
35
20
25
35
mA
单位
注1 -
经过测试与产出开放,所有的地址和数据输入在最大写入周期率的变化。
该器件被连续书写,即CE启用
2
V
IH
( MIN)
CE
1
WE
V
IL
(最大) ,
OE
高。开关
输入为0V和3V 。
AC电气特性 - 读周期
(在推荐的工作温度&电源电压)
符号
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能低
到数据有效
输出使能低到
低Z
输出使能高
到高阻
芯片使能到电源
运行时间
芯片禁用到
关机时间
0
55
5
20
0
70
-55
55
55
55
5
10
20
30
5
25
5
10
25
35
最大
70
70
70
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
文档#
SRAM126
转或
第11 3