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    P4C1023L 参数 Datasheet PDF下载

    P4C1023L图片预览
    型号： P4C1023L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低功耗128K ×8单芯片使能CMOS静态RAM [LOW POWER 128K x 8 SINGLE CHIP ENABLE CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 336 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C1023L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C1023L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C1023L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C1023L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C1023L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C1023L的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P4C1023L的Datasheet PDF文件第10页浏览型号P4C1023L的Datasheet PDF文件第11页  
    P4C1023/P4C1023L
    数据保留
    符号
    V
    DR
    参数
    V
    CC
    数据保留
    测试条件
    CE
    ≥
    V
    CC
    -0.2V,
    V
    IN
    ≥
    V
    CC
    -0.2V或V
    IN
    ≤
    0.2V
    V
    DR
    = 2.0V
    V
    DR
    = 3.0V
    见保留波形
    0
    t
    RC
    民
    2.0
    最大
    5.5
    50
    100
    单位
    V
    µA
    µA
    ns
    ns
    I
    CCDR
    t
    CDR
    t
    R
    数据保持电流
    芯片取消到数据
    保留时间
    营业恢复时间
    1.
    CE
    1
    ≥
    V
    DR
    -0.2V ，CE
    2
    ≥
    V
    DR
    -0.2V或CE
    2
    ≤
    0.2V ;或
    CE
    1
    ≤
    0.2V ，CE
    2
    - 0.2V; V
    IN
    ≥
    V
    DR
    -0.2V或V
    IN
    ≤
    0.2V
    低V
    CC
    数据保存波形
    文档＃
    SRAM126
    转或
    第11 7

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