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P4C1026-25J3M 参数 Datasheet PDF下载

P4C1026-25J3M图片预览
型号: P4C1026-25J3M
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内容描述: 超高速256K ×4的静态CMOS RAM [ULTRA HIGH SPEED 256K x 4 STATIC CMOS RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 290 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C1026
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流*
温度
范围
广告
产业
–15
80
90
–20
75
80
–25
75
80
–35
75
80
单位
mA
mA
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
数据保持特性
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R†
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
CE
V
CC
–0.2V,
V
IN
V
CC
-0.2V或
V
IN
0.2V
测试条件
2.0
10
0
t
RC =
15
250
500
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
最大
V
CC
=
2.0V 3.0V
单位
V
µA
ns
ns
*T
A
= +125°C
§
t
RC
=读周期时间
此参数是保证,但未经测试。
数据保存波形
文档#
SRAM127
REV ê
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