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    P4C1026-25J3M 参数 Datasheet PDF下载

    P4C1026-25J3M图片预览
    型号： P4C1026-25J3M
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超高速256K ×4的静态CMOS RAM [ULTRA HIGH SPEED 256K x 4 STATIC CMOS RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 290 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C1026-25J3M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C1026-25J3M的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C1026-25J3M的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P4C1026-25J3M的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C1026-25J3M的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C1026-25J3M的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C1026-25J3M的Datasheet PDF文件第9页浏览型号P4C1026-25J3M的Datasheet PDF文件第10页  
    P4C1026
    时序波形写周期NO 。 2 （ CE控制）
    (10)
    CE
    AC测试条件
    输入脉冲电平
    输入上升和下降时间
    输入时序参考电平
    输出时序参考电平
    输出负载
    GND到3.0V
    3ns
    1.5V
    1.5V
    参见图1和2
    真值表
    模式
    待机
    D
    OUT
    残
    读
    写
    CE
    H
    L
    L
    L
    OE
    X
    H
    L
    X
    WE
    X
    H
    H
    L
    I / O
    高Z
    高Z
    D
    OUT
    高Z
    动力
    待机
    活跃
    活跃
    活跃
    图1.输出负载
    *包括范围和测试夹具。
    注意：
    因为P4C1258的超高速的，必须小心
    测试时，该设备;不适当的设置可能会导致正常
    功能部分被拒绝的错误。长高的电感引线
    一定要避免使V的电源事业反弹
    CC
    和
    接地层直接到接触手指。一个0.01μF高
    图2.戴维南等效
    V之间也需要频率电容器
    CC
    和地面。为了避免
    信号反射，适当的终止必须使用;例如，一个50Ω
    测试环境应终止为50Ω负载与1.73V
    （戴维南电压）在比较器的输入，和一个116Ω电阻绝
    可以使用串联的D
    OUT
    匹配166Ω （戴维南电阻） 。
    文档＃
    SRAM127
    REV ê
    第10 6

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