P4C116/P4C116L
数据保持特性（ P4C116L军用温度只）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R†
*T
A
= +25°C
§t
RC
=读周期时间
†
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到
数据保存时间
手术恢复时间
测试Conditons
民
2.0
TYP 。 *
V
CC
=
2.0V
3.0V
最大
V
CC
=
2.0V
3.0V
单位
V
CE
≥
V
CC
–0.2V,
V
IN
≥
V
CC
–0.2V
或V
IN
≤
0.2V
0
t
RC =
10
15
600
900
µA
ns
ns
此参数是保证，但未经测试。
数据保存波形
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流*
温度
范围
广告
军事
–10
180
不适用
–12
170
不适用
–15
160
170
–20
155
160
–25
150
155
–35
140
150
单位
mA
mA
*V
CC
= 5.5V 。经过测试与产出开放。 F =最大。切换输入为0V和3V 。
CE
= V
IL
,
OE
= V
IH
.
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用高Z输出
输出使能低到数据有效
–10
10
10
10
2
2
5
6
0
6
0
10
0
0
2
2
–12
12
12
12
2
2
6
8
0
7
0
12
–15
15
15
15
2
2
7
10
0
8
0
15
–20
20
20
20
2
3
8
10
0
9
0
20
–25
25
25
25
2
3
10
15
0
12
0
20
–35
35
35
35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
ns
ns
ns
ns
ns
15
20
15
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
OLZ
输出使能低到低Z
t
OHZ
输出使能高到高Z
t
PU
t
PD
芯片使能上电时间
芯片禁用断电
文档＃
SRAM110
REV A
第14页3
PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
