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    P4C116-20SC 参数 Datasheet PDF下载

    P4C116-20SC图片预览
    型号： P4C116-20SC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超高速2K x 8静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 2K x 8 STATIC CMOS RAMS]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 14 页 / 239 K
    品牌： PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号P4C116-20SC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P4C116-20SC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4C116-20SC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4C116-20SC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P4C116-20SC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P4C116-20SC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号P4C116-20SC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号P4C116-20SC的Datasheet PDF文件第9页  
    P4C116/P4C116L
    OE
    读循环中没有时序波形。 1 （ OE控制）
    (5)
    读循环中没有时序波形。 2 （地址控制）
    (5,6)
    读循环中没有时序波形。 3 （ CE控制）
    (5,7)
    注意事项：
    1.强调大于下最大额定值可能
    对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
    该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
    超出本规范的业务部门所标明
    是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
    期间可能会影响其可靠性。
    保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
    分钟的空气流。
    3.瞬态输入， V
    IL
    我
    IL
    不超过-3.0V更负，
    -100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
    4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
    5.
    WE
    为高的读周期。
    6.
    CE
    低并且
    OE
    为低电平读周期。
    7.地址必须是有效的之前或与重合
    CE
    过渡
    低。
    8.转变是从稳态电压前测量± 200 mV的
    改变，同时装载如在图1中指定的该参数是
    采样，而不是100 ％测试。
    9.读周期时间是从最后一个有效地址测到第一
    转换地址。
    文档＃
    SRAM110
    REV A
    第14页4

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