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P4C149-10PC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P4C149-10PC
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内容描述: 超高速1K ×4的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 1K x 4 STATIC CMOS RAMS]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 281 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C148/P4C149
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
(高达7.0V )
工作温度
价值
- 0.5至+7
= 0.5〜
V
CC
+0.5
- 55〜 + 125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
- 55〜 + 125
- 65 〜+ 150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
± 10%
5.0V
± 10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ,T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压( 2 )
符号。
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
I
SB
I
SB1
参数
输出高电压
( TTL负载)
输出低电压
( TTL负载)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
=最大,V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大,
CE, CS
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
米尔。
Comm'l
米尔。
Comm'l
米尔。
Comm'l
米尔。
Comm'l
测试条件
I
OH
= -4毫安,V
CC
=最小值。
I
OL
= 8毫安,V
CC
=分钟
2.2
–0.5
(3)
–10
–5
–10
–5
P4C148
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+10
+5
+10
+5
30
23
15
10
2.2
–0.5
(3)
–10
–5
–10
–5
马克斯。
P4C149
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5
0.8
+10
+5
+10
+5
不适用
不适用
不适用
不适用
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
备用电源
CE
V
IH
, V
CC
=最大,
电流( TTL电平输入)F =最大值,输出打开
备用电源
当前
( CMOS输入电平)
CE
V
HC
, V
CC
=最大值, F = 0 ,
输出打开
V
IN
0.2V或V
IN
V
CC
–0.2V
N / A =不适用
功耗特性VS. SPEED
符号参数
I
CC
动态工作电流
温度范围
广告
军事
-10 -12 -15 -20 -25 -35 -45 -55单位
130 130 120 115 100 100 95
95
mA
N / A N / A 145 135 125 120 115 115毫安
文档#
SRAM104
版本B
第10 2