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P4C149-10PC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P4C149-10PC
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内容描述: 超高速1K ×4的静态CMOS RAMS [ULTRA HIGH SPEED 1K x 4 STATIC CMOS RAMS]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 281 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C148/P4C149
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V ±10 % ,全温度范围)
(2)
符号
参数
t
WC
写周期时间
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
芯片使能时间结束写的
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
地址保持时间从写入结束
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
输出写入结束活动
0
-10
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-55
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
12
15
20
25
35
45
55
8
8
0
8
0
5
0
5
0
10
10
0
10
0
6
0
6
0
12
12
0
12
0
7
0
7
0
16
16
0
16
0
9
0
7
0
20
20
0
20
0
12
0
8
0
25
25
0
25
0
16
0
12
0
30
30
0
30
0
20
0
15
0
35
35
0
35
0
25
0
20
WE
时序波形写周期NO 。 1 (我们控制)
(9)
时序波形写周期NO 。 2 ( CE
CS
控制)
(9)
CE / CS
CE
注意事项:
9.
CE
WE
必须是低的写周期。
10.如果
CE
云同时高
WE
高电平时,输出保持在高阻抗状态。
11.写周期时间是从最后一个有效地址到第一地址转变进行测定。
文档#
SRAM104
版本B
第10 4