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P4C150-25PC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P4C150-25PC
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内容描述: 超高速1K ×4 RESETTABLE静态CMOS RAM [ULTRA HIGH SPEED 1K X 4 RESETTABLE STATIC CMOS RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 214 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C150
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
(高达7.0V )
工作温度
价值
- 0.5至+7
= 0.5〜
V
CC
+0.5
- 55〜 + 125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
- 55〜 + 125
- 65 〜+ 150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
± 10%
5.0V
± 10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ,T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压( 2 )
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
( TTL负载)
输出低电压
( TTL负载)
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
=最大,V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大,
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
测试条件
I
OH
= -4毫安,V
CC
=最小值。
I
OL
= 8毫安,V
CC
=分钟
2.2
–0.5
(3)
–5
–5
P4C150
分钟。
2.4
0.4
V
CC
=+0.5
0.8
+5
+5
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
范围
广告
军事
-10
130
不适用
-12
130
不适用
-15
120
145
-20
115
135
-25
100
125
-35
不适用
120
单位
mA
mA
注意事项:
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
并且该设备在这些或任何其他条件的功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入, V
IL
IL
不超过负 - 3.0V和
- 百毫安,分别是允许的脉冲宽度达20毫微秒。
4.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
文档#
SRAM105
REV A
第11 2