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P4C150-25PC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: P4C150-25PC
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内容描述: 超高速1K ×4 RESETTABLE静态CMOS RAM [ULTRA HIGH SPEED 1K X 4 RESETTABLE STATIC CMOS RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 214 K
品牌: PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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P4C150
交流特性,读周期
(V
CC
= 5V ±10 % ,全温度范围)
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
输出使能到
数据有效
输出使能到
在低Z输出
输出禁止以
在高Z输出
-10
10
10
8
2
2
4
7
2
5
2
2
2
12
-12
15
12
10
2
2
6
9
2
7
-15
20
15
12
2
2
8
10
2
9
-20
-25
25
20
14
2
2
10
14
2
11
13
13
15
2
25
15
2
2
35
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
15
20
ns
ns
ns
16
ns
读循环中没有时序波形。 1
(5,6)
读循环中没有时序波形。 2 ( CS控制)
(5, 7)
CS
注意事项:
5.我们是高读周期。
6.CS和
OE
为低电平的读周期。
7.ADDRESS必须是之前或concident与有效,
CS
过渡
低,T
AA
仍然必须满足。
8.转变是从稳态电压测量± 200 mV的
之前改变,同时装载如在图1中指定。
9.读周期时间是从最后一个有效地址,以测量
第一过渡的地址。
文档#
SRAM105
REV A
第11 3