P4C198 / 198L ， P4C198A / 198AL
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
-0.5到+7
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-55到+125
-65到+150
1.0
50
单位
°C
°C
W
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作
温度和电源电压
Grade(2)
军事
环境
温度
GND
0V
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
电容
(4)
V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
5
7
pF
pF
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
广告
-40 ° C至+ 85°C
产业
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
IH
V
IL
V
HC
V
LC
V
CD
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
SB
参数
输入高电压
输入低电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
输入钳位二极管电压
输出低电压
（ TTL负载）
输出高电压
（ TTL负载）
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
I
OL
= 10毫安，V
CC
=最小值。
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
= V
IH
,
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
米尔。
印第安纳州/ Com'l 。
测试条件
P4C198 / 198A
民
最大
2.2
–0.5
(3)
–0.5
(3)
0.5
0.4
2.4
–10
–5
–10
–5
___
___
___
___
+10
+5
+10
+5
40
35
20
15
2.4
–5
不适用
–5
不适用
___
___
___
___
+5
不适用
+5
不适用
40
不适用
1.5
不适用
0.8
0.2
–1.2
0.5
0.4
P4C198L / 198AL
单位
民
最大
V
CC
+0.5
2.2
V
CC
+0.5 V
–0.5
(3)
–0.5
(3)
0.8
0.2
–1.2
V
V
V
V
V
V
V
µA
µA
mA
V
CC
–0.2 V
CC
+0.5 V
CC
–0.2 V
CC
+0.5
CE
1
,
CE
2
≥
V
IH
米尔。
备用电源
V
CC
=最大，
印第安纳州/ Com'l 。
电流（ TTL电平输入）
F =最大值，输出打开
备用电源
当前
（ CMOS输入电平）
CE
1
,
CE
2
≥
V
IH
米尔。
V
CC
=最大，
印第安纳州/ Com'l 。
F = 0时，输出打开
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
mA
I
SB1
N / A =不适用
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露最大ratingconditions的扩展
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.瞬态输入， V
IL
我
IL
不超过-3.0V更负，
-100mA ，分别是允许的脉冲宽度至20毫微秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM113
REV A
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PYRAMID [ PYRAMID SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
