互联网数据表
HYB18H256321BF
256兆GDDR3
1
1.1
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概观
特点
•用于写命令的数据面膜
•单端每字节的读选通( RDQS ) 。 RDQS边沿
与读取数据对齐
•单端写选通( WDQS )每字节。 WDQS
中心对齐与写入数据
• DLL对齐RDQS和DQ转换与时钟
•可编程IO接口包括片上端接
( ODT )
• Autoprecharge选项并发自动预充电
支持
• 4K刷新( 32毫秒)
•自动刷新和自刷新
• PG- TFBGA -136封装(10毫米
×
14mm)
•校准输出驱动器。有源终端支持
• RoHS标准的产品
1)
本章列出的产品系列HYB18H256321BF和订购信息的所有主要功能。
2.0 V
V
DDQ
IO电压HYB18H256321BF - 10
2.0 V
V
DD
核心电压HYB18H256321BF - 10
1.8 V
V
DDQ
IO电压HYB18H256321BF -11/ 12月14日
1.8 V
V
DD
核心电压HYB18H256321BF -11/ 12月14日
组织: 2048K
×
32
×
4银行
4096行和512列( 128决堤的开始位置),每
银行
差分时钟输入( CLK和CLK )
7 CAS等待时间,8,9 ,10,11 ,12,13 ,14,15 ,16,17
写的3延迟,4,5 ,6,7
带8的长度如图4所示,脉冲串序列。
4N预取
总之RAS为写操作时序CAS
t
RAS
锁定支持
t
WR
可编程的写操作与自动预充电
表1
订购信息
产品型号
1)
HYB18H256321BF–11/12/14
HYB18H256321BF–10
1 ) HYB :代号为内存组件
18H:
V
DDQ
= 1.8 V
256 : 256兆位密度
32 :组织
B:产品版本
F:无铅和无卤素
组织
×32
时钟( MHz)的
1000/900/800/700
包
PG–TFBGA–136
1 )符合RoHS产品:使用某些有害物质指令(RoHS )的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会,欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ,
铅,镉,六价铬,多溴联苯和多溴联苯醚。
牧师0.80 , 2007-09
09132007-07EM-7OYI
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