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HYB18H256321BF-14 参数 Datasheet PDF下载

HYB18H256321BF-14图片预览
型号: HYB18H256321BF-14
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内容描述: 256兆GDDR3图形内存GDDR3图形内存 [256-Mbit GDDR3 Graphics RAM GDDR3 Graphics RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 41 页 / 2032 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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互联网数据表
HYB18H256321BF
256兆GDDR3
2.1
球的定义和说明
表2
球说明
CLK , CLK
TYPE
输入
详细功能
时钟:
CLK和CLK是差分时钟输入。地址和命令输入锁存正
CLK的边缘。图形SDRAM输出( RDQS , DQS)被引用到CLK 。 CLK和CLK都没有
在内部终止。
时钟使能:
CKE高激活和CKE低停用内部时钟和输入缓冲器。以CKE
LOW提供掉电。如果所有银行都预充电,这种模式被称为预充电断电
和自刷新模式进入,如果发出自动刷新命令。如果至少有一个存储体是开放的,
主动掉电模式进入和无自刷新是允许的。所有的输入接收器,除了CLK ,
CLK和CKE是在断电禁用。在自刷新模式下,时钟接收器
禁用了。自刷新退出是通过设置CKE高异步执行。电力出口
倒没有自我刷新是通过设置CKE高, CLK的上升沿来完成。
CKE的值在上电锁存异步复位所确定的价值
的地址和命令的输入端接电阻器。
CKE是不允许的一个RD , WR一个或窥探突发期间变为低电平。
片选:
CS使指令译码器时低,禁用它高的时候。当命令解码器
是除DTERDIS的残疾人,新指令将被忽略,但内部操作
继续。 CS是四个命令的球之一。
输入命令:
采样CLK , CAS , RAS的正面边缘,我们定义(连同CS )的命令
被执行。
数据输入/输出:
的DQ信号形成的32位数据总线。读取时的球是输出和写入时
他们的投入。数据传送在RDQS的两边缘。
输入数据掩码:
在DM信号是用于将数据写入输入掩码信号。数据被屏蔽时DM采样为高电平
与写入数据。 DM进行采样WDQS的两边。 DM0是DQ<0 : 7> , DM1是
DQ<8 : 15> , DM2是DQ<16 : 23>和DM3是DQ<24 : 31> 。虽然DM球是仅输入,
其装载的设计相匹配的DQ和WDQS球。
读数据选通信号:
RDQSx是单向选通脉冲信号。在读RDQSx由图形传输
SDRAM和边沿对齐的数据。 RDQS有序言和后同步的要求。 RDQS0是
对于DQ<0 : 7> , RDQS1为DQ<8 : 15> , RDQS2为DQ<16 : 23>和RDQS3为DQ<24 : 31> 。
写数据选通信号:
WDQSx是单向选通脉冲信号。在写WDQSx是
通过与数据对准控制器和中心产生。 WDQS有序言和后同步
要求。 WDQS0是DQ<0 : 7> , WDQS1为DQ<8 : 15> , WDQS2为DQ<16 : 23>和WDQS3
对于DQ<24 : 31> 。
银行地址输入:
BA选择到银行内部的启动,读取,写入或预充电命令正在
应用。 BA也使用的模式寄存器组来区分和扩展
模式寄存器设置命令。
CKE
输入
CS
输入
RAS , CAS ,
WE
DQ<0 : 31>
输入
I / O
DM<0 : 3>
输入
RDQS<0 : 3>
产量
WDQS<0 : 3>
输入
BA<0 : 1>
输入
牧师0.80 , 2007-09
09132007-07EM-7OYI
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